防静电陶瓷材料一般是采用相复合技术,Sb掺杂SnO2加入到陶瓷的釉中,烧成后会在半导体周边形成富含半导体成分的熔体层,熔体层相互接触形成了良好的导电网络,从而使釉面电阻下降,使导电颗粒在陶瓷中形成连续的导电通道,当材料的表面电阻为105~109Ω时,积聚的静电会被尽快地释放,从而达到防静电的效果。
防静电陶瓷材料一般是采用相复合技术,Sb掺杂SnO2加入到陶瓷的釉中,烧成后会在半导体周边形成富含半导体成分的熔体层,熔体层相互接触形成了良好的导电网络,从而使釉面电阻下降,使导电颗粒在陶瓷中形成连续的导电通道,当材料的表面电阻为105~109Ω时,积聚的静电会被尽快地释放,从而达到防静电的效果。
导电陶瓷是某些氧化物陶瓷加热时,处于原子外层的电子可以获得足够的能量,以便克服原子核对它的吸引力,而成为可以自由运动的自由电子,这种陶瓷就变成导电陶瓷。
(现在已经研制出多种高温电子导电陶瓷材料:碳化硅陶瓷的最高使用温度为1450℃,二硅化钼陶瓷的最高使用温度为1650℃,氧化锆陶瓷的最高使用温度为2000℃,氧化钍陶瓷的最高使用温度高达2500℃。)
